Aluminium-Gallium-Arsenid
Aluminium-Gallium-Arsenid (AlxGa1-xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu der gleichen Gitterkonstante wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Das Aluminiumanteil x kann zwischen 0 und 100% variieren, wodurch die Bandlücke zwischen 1.42 eV (GaAs) und 2.16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0.4 liegt eine direkte Bandlücke vor, ansonsten hat man eine indirekte Bandlücke.
Die ternäre Verbindung AlGaAs ist ein sehr wichtiges Materialsystem in der Grundlagenforschung und industriellen Anwendung. Wegen der von der Zusammensetzung praktisch unabhängigen Gitterkonstante ist es möglich mit der Molekularstrahlepitaxie unverspannte Halbleiter-Heterostrukturen herzustellen.
Die Möglichkeit die Bandlücke in verschiedenen Bereichen verschieden zu gestalten, ist die Grundlage für die Heterojunction Bipolartransistoren (HBT) und HEMT Transistoren.
Die Formel AlGaAs wird als Kurzbezeichnung benutzt, wenn der Aluminiumgehalt unbestimmt ist.