Electrically Eraseable Programmable Read Only Memory
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, wörtlich: elektrisch löschbarer, programmierbarer Nur-Lese-Speicher) ist ein nichtflüchtiger, elektronischer Speicherbaustein, der vor allen Dingen in der Computertechnik eingesetzt wird. Früher wurde dieser Bausteintyp mittels eines Programmiergerätes mit beliebigen Daten gefüllt, inzwischen kann dies auch von der angeschlossenen CPU im System bewerkstelligt werden.
Im Gegensatz zu einem EPROM kann der Inhalt eines EEPROMs elektrisch gelöscht werden. Bei EPROMs ist zum Löschen eine UV-Lampe nötig, EEPROMs können im Programmiergerät oder im System gelöscht werden. Der Löschvorgang dauert deshalb nur einige Sekunden - verglichen mit 5 bis 10 Minuten beim EPROM. Dabei wird das EEPROM durch einen hohen Spannungspuls, der die Ladung der Sperrschicht in den Ursprungszustand versetzt, gelöscht. Dieser Vorgang löscht sämtliche Speicherzellen zugleich (Bulk-Erase = Blocklöschen).
Ein EEPROM besteht aus einer Feldeffekt-Transistorenmatrix mit isoliertem Floating Gate, in welcher jeder Transistor ein Bit repräsentiert. Beim Programmiervorgang wird auf dem Gate eine Ladung gespeichert (der Transistor sperrt). Beim Löschen wird diese Ladung wieder entfernt.
Nach dem „Brennvorgang“ des EEPROMs werden die geschriebenen Daten durch ein Bitmuster geladener / ungeladener Transistoren repräsentiert. Diese Daten lassen sich nun beliebig oft auslesen. Die Lesespannung liegt dabei unterhalb der Programmierspannung. Meistens wird nur eine begrenzte Anzahl von Schreibzyklen garantiert (je nach Hersteller 1000-100000). Früher war zum Programmieren eine höhere Spannung erforderlich, diese wird inzwischen bausteinintern erzeugt.
EEPROMs können byteweise beschrieben werden. Flash-EEPROMs blockweise (wobei die Blockgröße variiert). EEPROMs verwendet man bevorzugt, wenn einzelne Datenbytes oft verändert werden müssen (Betriebsstundenzähler...).