Epitaxie
Als Epitaxie wird ein geordnetes Kristallwachstum bezeichnet (aus dem Griechischen; "Epi" heißt "gleich" und "Taxis" "in militärisch geordneter Weise"). Die von einem einkristallinen Substrat vorgegebene atomare Ordnung wird auf eine wachsende Schicht übertragen. Abhängig davon, ob Substrat und Schicht aus gleichem oder unterschiedlichem Material bestehen, werden auch die Bezeichnungen Homo- beziehungsweise Heteroepitaxie verwendet.
Es werden unterschiedliche Verfahren der Epitaxie eingesetzt. Das sind zum Beispiel:
- Flüssigphasenepitaxie (LPE - liquid-phase epitaxy)
- Molekularstrahlepitaxie (MBE - molecular-beam epitaxy)
- Metallorganische Gasphasenepitaxie (OMVPE - organometallic vapor-phase-epitaxy)
Eingesetzt werden die Epitaxieverfahren in der Halbleiterindustrie.
siehe auch: Allotaxie