Insulated Gate Bipolar Transistor
thumb|right|IGBT
Ein Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, welches zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es die Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung) und die Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Vorteilhaft ist auch eine gewisse Robustheit gegenüber Kurzschlüssen, da der IGBT den Laststrom begrenzt.
IGBT werden unter anderem im Hochleistungsbereich eingesetzt, da sie über eine hohe Sperrspannung (bis z.Zt. 6.6 kV)verfügen und hohe Ströme (bis etwa 3 kA) schalten können.
Nachteilig sind die gegenüber Leistungs-MOSFET großen Schaltverluste sowie der prinzipiell vorhandene Spannungsabfall von wenigen Volt im eingeschalteten Zustand. Daher liegt der Hauptanwendungsbereich bei höheren Spannungen ab einigen 100V, hohen Leistungen und relativ geringen Arbeitsfrequenzen (max. 200kHz)
Anwendungen
sind z. B.
Kategorie:LeistungselektronikKategorie:Elektrische Bauelemente