Magnetischer Tunnelwiderstand
Ein Magnetischer Tunnelwiderstand (engl. Tunneling Magneto Resistance Abk: TMR) ist ein elektronisches Bauelement auf Basis der Magnetoelektronik.
Ein TMR besteht aus zwei Schichten ferromagnetischen Materials, die durch eine dünne Schicht nichtmagnetischen Isolators getrennt sind, durch die die Elektronen hindurchtunneln, d.h. quantenmechanisch unscharf durchqueren, können.
Mit Hilfe eines äußeren Magnetfeldes kann die Richtung des Spins der magnetischen Lagen unabhängig voneinander kontrolliert werden. Wenn die magnetischen Schichten gleich ausgerichtet sind, ist die Wahrscheinlichkeit, dass ein Elektron durch die Isolatorschicht zwischen ihnen tunnelt größer (und damit der elektrische Widerstand kleiner) als bei nicht paralleler Ausrichtung.
Die Zelle kann so zwischen zwei unterschiedlichen Widerstandszuständen - binär also 0 und 1 - hin und her geschaltet werden.